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Gentec-EO PH100-Si-HA-OD1-D0 光电二极管探测器 202683

更新时间:2025-01-06

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产品介绍

Gentec-EO PH100-Si-HA-OD1-D0 光电二极管探测器的激光功率测量高达 300 mW。

INTEGRA（USB 或 RS-232）输出选择

当您选择 INTEGRA 输出选项时，您将获得集检测器和仪表于一体的便捷的一体化测量仪器产品。将检测器插入电脑，安装我们的免费软件，即可开始测量。

具成本效益的解决方案

与其他解决方案具有相同的测量性能

接口功能和特性不打折扣

适用于 OEM 应用和现场维修的紧凑型解决方案

多功能仪器可节省重新校准的费用

皮瓦级测量能力

基于光电二极管的检测器可快速响应可见近红外波长。我们的硅吸收器可以测量低至皮瓦级的非常低的功率。

较宽的动态范围

噪音微乎其微

快速响应

对周围环境不敏感

主要特性

大光圈

硅传感器光圈为10 mm直径

3种型号

硅 350 - 1080 nm，高达750 mW

紫外硅 210 - 1080 nm，高达38 mW

锗 800 - 1650 nm，高达500 mW

衰减器选择

高准确度

PH100-Si-HA大幅降低校准不确定因素

准确校准

波长选择 1 nm一格

智能接口

包含所有的校准数据

产品规格

测量能力
最大平均功率	300 mW
噪声等效功率	200 pW
光谱范围	400 - 1080 nm
典型升起时间	0.2 s
功率校准不确定性	±5.0 % (400 - 419 nm) ±4.0 % (420 - 899 nm) ±5.0 % (900 - 1009 nm) ±7.5 % (1010 - 1080 nm)
峰值灵敏度	980 nm
最小重复率	155 kHz
1. 1064 nm，附有衰减器。查看其他波长的最大功率曲线。 2. 980 nm。标称值。实际值取决于环境电磁干扰和波长。 3. 附有衰减器。查看用户手册，了解不使用衰减器校准的不确定性。 4. 详细信息请参阅用户手册。
损坏阈
最大平均功率密度	100 W/cm²
物理特性
孔径	10 mm
吸收器	Si
尺寸	38.1Ø x 36D mm
重量	0.14 kg
距传感器表面距离	13.7 mm